化學(xué)機(jī)械拋光是目前最為常見的半導(dǎo)體材料表面平面技術(shù)，它是機(jī)械摩擦與化學(xué)腐蝕相結(jié)合了兩者優(yōu)點(diǎn)的工藝；可以獲得較為完美的晶片表面。硅片在采用陶瓷拋光機(jī)進(jìn)行拋光工序時(shí)，影響加工過(guò)程中去除速率與加工表面質(zhì)量的因素以以下幾點(diǎn)為主：

化學(xué)因素其中包含著：拋光液中的PH值、拋光液的濃度值、流量拋光過(guò)程中控制的溫度。其中以拋光液中的PH值對(duì)去除率影響最為顯著。有實(shí)驗(yàn)表明隨著拋光液的PH值增大，拋光去除率逐步提高，但是當(dāng)PH值達(dá)到一定值后，去除率會(huì)迅速降低，而且表面質(zhì)量也有所下降。所以在硅片拋光過(guò)程中選擇適當(dāng)?shù)腜H值是重要的參數(shù)之一。

在硅片拋光時(shí)壓力過(guò)小會(huì)使機(jī)械拋光與化學(xué)拋光速度不均衡，形成邊緣腐蝕過(guò)快，中間腐蝕慢造成表面平整度下降，當(dāng)機(jī)械拋光速度小于化學(xué)拋光速度時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)桔皮波紋或者腐蝕坑等。反之，壓力過(guò)大機(jī)械拋光速度大于化學(xué)拋光速度，表面的平整度提高后則容易出現(xiàn)劃傷，或拋光過(guò)程中容易碎片等現(xiàn)象；選擇適當(dāng)?shù)膾伖鈮毫σ彩枪杵庸み^(guò)程中的重要參數(shù)之一。

在拋光過(guò)程中拋光墊可以使拋光液均勻分布并且能提供新的拋光液補(bǔ)進(jìn)，同時(shí)排出化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生的異物。在拋光過(guò)程中起到穩(wěn)定性、均勻性與重復(fù)性的作業(yè)。拋光墊材料選用也是很重要的參數(shù)之一。

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